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三维集成电路中TTSV的散热性能

《电子技术与软件工程》2018年 第18期 | 崔玉强 潘中良   华南师范大学物理与电信工程学院 广东省广州市510006
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摘 要:三维集成技术取得了突飞猛进的进展,实现了多层堆叠、集成度增加、性能提高以及工艺尺寸降低等成效。然而不可避免的是功耗密度大幅提升,芯片的散热问题上升为限制芯片可靠性的一大因素。热硅通孔(TTSV)在降低芯片温度上具有明显的效果,成为人们关注的焦点。在本文中,我们采用有限元方法,借助COMSOL仿真软件对不同条件下堆叠芯片的散热性能进行了研究,发现用碳纳米管来做硅通孔可以有效地降低芯片的温度,相比其他材料它有着巨大的优势。同时,本文也分析了不同TTSV结构参数对芯片散热的影响,实验得到的数据结果对堆叠芯片的研究具有一定的参考价值。
【分 类】【工业技术】 > 自动化技术、计算机技术 > 计算技术、计算机技术 > 电子数字计算机(不连续作用电子计算机) > 存贮器 > 只读(ROM)存贮器
【关键词】 三维集成电路 有限元 热分析 热管理 TTSV 碳纳米管
【出 处】 《电子技术与软件工程》2018年 第18期 81-83页 共3页
【收 录】 中文科技期刊数据库