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重复经颅磁刺激对精神分裂症患者前脉冲抑制功能的影响

《神经疾病与精神卫生》2020年 第4期 | 赵艳丽 黄文倩 石晶 范宏振 谭云龙 杨甫德 谭淑平 王志仁   北京回龙观医院精神医学研究中心北京大学回龙观临床医学院 100096
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摘 要:目的初步探讨低频双背侧前额叶重复经颅磁刺激(rTMS)对精神分裂症听觉惊吓反应前脉冲抑制(PPI)功能的影响.方法共入组病情稳定的慢性精神分裂症患者35例,按2:1随机分为rTMS治疗组(n=24)和对照组(n=11),两组分别接受20次rTMS真刺激和伪刺激治疗.治疗期间维持原有抗精神病药物种类及剂量不变.在治疗前及治疗结束后分别检测患者的PPI功能.结果rTMS治疗前,治疗组和对照组在PPI的所有指标上的差异均无统计学意义(均P>0.05).rTMS治疗后,在强弱刺激间隔为120 ms时,治疗组的PPI抑制率较治疗前显著提高(治疗前抑制率为14.29%,治疗后为38.71%,P=0.001),且显著高于对照组(11.45%,P=0.007);对照组在rTMS治疗前后PPI抑制率的差异无统计学意义(治疗前抑制率为20.27%,治疗后为11.45%,P=0.389).结论双背侧额叶低频rTMS治疗可以改善精神分裂症患者的PPI功能,值得进一步深入研究.
【分 类】【医药、卫生】 > 神经病学与精神病学
【关键词】 精神分裂症 重复经颅磁刺激 前脉冲抑制 感觉门控
【出 处】 《神经疾病与精神卫生》2020年 第4期 235-240页 共6页
【收 录】 中文科技期刊数据库