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Defect control at nanoscale and flux pinning enhancement in MgB2 superconductor

《现代交通学报:英文版》2012年 第2期 | C.H. CHENG C. SORRELL   School of Materials Science and Engineering University of New South Wale Sydney 2052 NSW Australia
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摘 要:在由包括 Ti, C, nano 钻石,和 HoB4 做各种各样的 nanoparticles 的 MgB2 的 nanoscale 的缺点控制,和他们的角色玩了提高流动卡住在 MgB2 的力量被比较并且分析。这些 nanodopants 有不同化学、物理的性质,因此引起不同卡住效率,特别有强壮的磁性的时刻的 nanodopants 作为自从磁性的杂质通常比无磁性的杂质与磁性的流动线有一个更强壮的相互作用并且当他们适当地被介绍进超导的矩阵时,可以施加更强壮的力量套住流动线,在 MgB2 卡住中心特别地有趣。
【分 类】【数理科学和化学】 > 低温物理学 > 超导电性【工业技术】 > 电工技术 > 电工材料 > 超导体、超导体材料
【关键词】 MGB2超导体 磁通钉扎 缺陷控制 纳米级 二硼化镁 化学性质 磁性杂质 纳米金刚石
【出 处】 《现代交通学报:英文版》2012年 第2期 65-69页 共5页
【收 录】 中文科技期刊数据库