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Ti—Si—N纳米复合薄膜KMC仿真中有效作用势的拟合
刘学杰 任元 孙士阳 谭心 贾慧灵 内蒙古科技大学机械工程学院 包头014010第1页
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| 《材料导报》2011年 第20期 | 摘要：为了准确地实现Ti—Si-N纳米复合薄膜生长过程动力学蒙特卡罗（KMC）4g4tb，采用简单原子之间的有效势拟合了第一性原理计算单粒子在TIN（001）表面的吸附作用和迁移行为。通过计算分别获得Ti、Si、N单粒子沉积在TIN（001）表面有效势的计算参数a、r0和u0。Ti、Si、N单粒子在TIN（001）表面吸附能和迁移激活能拟合相对误差均小于5％，Ti、Si、N单粒子在TiN（001）．gN2N2Ti岛迁移激活能相对误差小于10％。对势Morse势可以描述简单键性的作用力，对于较复杂的键性其计算原子之间相互作用的准确度降低。 | |
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| 格式：PDF 页数：4 页 页码范围：149-152页 | ||
学科分类：
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| 关 键 词：复合材料 有效作用势 Ti—Si—N薄膜 势能面 拟合 | ||
| 来源期刊：《材料导报》2011年 第20期 | ||
| 收录数据库：中文科技期刊数据库 | ||
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