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用虚拟制造设计低压功率VDMOS
夏宇 王纪民 蒋志 清华大学微电子学研究所，北京100084第1页
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| 《半导体技术》2004年 第5期 | 摘要：采用虚拟制造方法设计了低压功率VDMOS器件，并对其进行结构参数、物理参数和电性能参数的模拟测试，确定了器件的物理结构。通过对这些参数和电学特性的分析，进一步优化设计，最终获得了满意的设计参数和性能。 | |
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| 格式：PDF 页数：4 页 页码范围：72-74页 | ||
学科分类：
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| 关 键 词：虚拟制造 低压功率VDMOS器件 结构参数 物理参数 电性能参数 电学特性 优化设计 | ||
| 来源期刊：《半导体技术》2004年 第5期 | ||
| 收录数据库：中文科技期刊数据库 | ||
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