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器件模拟对AIGaAs／GaAs RTD的特性分析
牛萍娟 刘宏伟 郭维廉 李晓云 天津工业大学信息与通信工程学院，天津300160 天津大学电子信息工程学院，天津300072第1页
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| 《微纳电子技术》2004年 第10期 | 摘要：使用SILVACO公司的器件模拟软件ATLAS对A1GaAs／GaAs共振隧穿二极管(RTD)进行了器件模拟，得到了不同结构的RTD的I-V特性曲线。对量子阱宽度、掺杂浓度、势垒宽度和高度对RTD的I-V特性的影响进行了详细的分析。 | |
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| 格式：PDF 页数：4 页 页码范围：15-17页 | ||
学科分类：
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| 关 键 词：共振隧穿二极管（RTD） 器件模拟 I-V特性曲线 负微分电阻（NDR） 量子阱 | ||
| 来源期刊：《微纳电子技术》2004年 第10期 | ||
| 收录数据库：中文科技期刊数据库 | ||
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