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低功耗CMOS工艺中NMOS管阈值电压偏移的研究
袁庆洪 蒋志 清华大学微电子学研究所，北京100084第1页
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| 《微电子学》2002年 第3期 | 摘要：研究了在LPLV CMOS工艺中，用表面沟PMOS管工艺使NMOS管的阈值电压发生偏移的问题。在使用表面沟PMOS管的LPLV CMOM工艺中，NMOS管的多晶栅中的杂质不能达到均匀的分布，导致阈值电压发生偏移。文章提出了三个解决方案，并对其可行性进行了研究。 | |
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| 格式：PDF 页数：3 页 页码范围：175-177页 | ||
学科分类：
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| 关 键 词：低功耗CMOS工艺 NMOS管 阈值电压偏移 集成电路 | ||
| 来源期刊：《微电子学》2002年 第3期 | ||
| 收录数据库：中文科技期刊数据库 | ||
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