磁性多层膜的正巨磁电阻特性
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张栋杰[1] 都有为[2]
[1]南京师范大学分析测试中心材料科学实验室,江苏南京210097 [2]南京大学固体微结构国家重点实验室,江苏南京210093
摘 要:
采用离子束溅射方法制备了正巨磁电阻多层膜,在制备过程中采用外加磁场和退火处理。在室温条件下多层膜的巨磁电阻效应达到200%~300%,并用磁矩取向的双电流导电模型对正磁电阻的机理进行了解释。
文章出处:
《功能材料》-2003年34卷6期,659 -652-653,659页
Journal of Functional Materials
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