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PECVD介质膜性能研究

《发光学报》1996年 第3期 | 崔翔天 楚振生   中国科学院长春物理研究所
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摘 要:本文讨论了等离子体化学气相沉积方法生长的氮化硅薄膜的电学性能随生长条件的变化关系,得到了性能良好的氮化硅薄膜。结果表明这种介质膜在到了薄膜电致发光器件所要求的各个性能指标,是一种具有重要应用价值的介质薄膜材料。
【分 类】【数理科学和化学】 > 物理学 > 固体物理学 > 薄膜物理学 > 薄膜的性质
【关键词】 PECVD 氮化硅 薄膜 介电性质
【出 处】 《发光学报》1996年 第3期 230-234页 共5页
【收 录】 中文科技期刊数据库