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半导体异质外延薄膜质量的X射线衍射检测方法

《发光学报》1996年 第3期 | 葛中久 李梅   中国科学院长春物理研究所
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摘 要:本文介绍了一种使用X射线宽角测角仪和双晶测角仪相配合的检测半导体体异质外延薄膜的方法。其特点是快速且不损样品,特别适合大于配度的外延生长的条件试验检测,也可用于器件生产过程中的外延质量的监控。此法还可用于各种超晶格结构参数的测量。
【分 类】【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 材料 > 一般性问题 > 制取方法与设备 > 半导体薄膜技术
【关键词】 X射线检测 外延 薄膜 半导体薄膜
【出 处】 《发光学报》1996年 第3期 257-260页 共4页
【收 录】 中文科技期刊数据库