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应变层异质结ZnS/ZnSe、ZnS/ZnS_xSe_(1-x)和ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)价带带阶的研究

《发光学报》1998年 第4期 | 蔡淑惠 王仁智   厦门大学物理系
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摘 要:采用基于原子球近似下线性Muffin-Tin轨道(LMTO-ASA)的平均键能计算方法,研究了以ZnSxSe1-x为衬底,沿(001)方向外延生长的应变层异质结ZnS/ZnSe,ZnS/ZnSxSe1-x和ZnSe/ZnSxSe1-x的价带带价值△Ep(x)研究表明,△E(x)值随衬底合金组分x单调变化,且两者的关系是非线性的,在此计算结果与其它理论计算和实验结果符合较好。
【分 类】【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 材料 > 化合物半导体【数理科学和化学】 > 物理学 > 半导体物理学 > 半导体理论 > 半导体能带结构
【关键词】 硫化锌 硒化锌 异质结 价带带阶 平均键能
【出 处】 《发光学报》1998年 第4期 293-299页 共7页
【收 录】 中文科技期刊数据库