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Ga1—xAlxAs外延片有源区Al组份的测定方法

《发光学报》1998年 第4期 | 刘学彦   中国科学院长春物理研究所
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摘 要:由于GaAs与AlAs晶格常数相近,GaAs晶格常数为0.56535nm,AlAs的晶格常数为0.56605nm,当固熔体中Al组份x值从0变到1时,晶格常数变化约为0.15%.因此,在GaAs衬底上生长Ga1-xAlxAs时,在界面处的失配位错少,...
【分 类】【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 材料 > 化合物半导体 > 三元系化合物半导体
【关键词】 外延材料 电致发光 x值 镓铝砷 铝组分
【出 处】 《发光学报》1998年 第4期 361-363页 共3页
【收 录】 中文科技期刊数据库