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碟型量子阱微腔激光器的低阈值激射

《发光学报》2000年 第1期 | 宁永强 武胜利   中国科学院委态物理开放研究实验室 吉林长春
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摘 要:利用反应离子刻蚀(RIE)和湿法腐蚀方法在InGaAs/InGaAsP多量子阱材料上研制出直径为8μm、4.5μm和2μm的碟型半导体微腔激光器。其中2μm直径的微碟在液氮温度下其光泵浦激射阈值仅为3μW左右。对高光功经工下泵浦时出现的多模激射、跳模和激射光谱强度饱和现象进行了研究。并对微碟激光器的激射光谱线宽特性进行了实步的分析。
【分 类】【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 光电子技术、激光技术 > 激光技术、微波激射技术 > 激光器 > 半导体激光器
【关键词】 微碟 微腔激光器 激射 量子阱 半导体
【出 处】 《发光学报》2000年 第1期 16-19页 共4页
【收 录】 中文科技期刊数据库