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MOCVD生长的未掺杂GaN的结晶特性与补偿度关系的研究

《发光学报》2000年 第1期 | 辛勇 熊传兵   南昌大学材料科学研究所 江西南昌
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摘 要:对本实验室用MOCVD方法生长的未故意掺杂的GaN单晶膜进行了结晶性能、电学性能研究。结果表明,室温时GaN的X射线双晶衍射半高宽与其补偿度有较强的依赖关系。高补偿的GaN的X射线双晶衍射半高宽较宽。低补偿的GaN的X射线双晶衍射半高宽较窄。
【分 类】【数理科学和化学】 > 物理学 > 半导体物理学 > 半导体性质 > 光学性质【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 材料 > 化合物半导体 > Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体
【关键词】 补偿度 X射线双晶衍射 MOCVD 氮化镓 结晶特性
【出 处】 《发光学报》2000年 第1期 33-37页 共5页
【收 录】 中文科技期刊数据库