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一种特殊的非对称量子阱中的电光效应

《发光学报》2004年 第1期 | 俞友宾 郭康贤 于凤梅   广州大学桂花岗校区物理系,广东广州510405
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摘 要:运用密度矩阵方法推导出了特殊非对称量子阱中电光系数的解析表达式,并以典型的GaAs/AlGaAs非对称量子阱为例进行了数字计算。计算结果表明,量子阱的非对称性随着参数α的增大而增强,随着参数V0的增大而减小。电光系数的最大值也随着参数α的增大而增大,随着参数V0的增大而减小,表明电光系数将随着量子阱非对称性的增大而增大。在取不同的参数α和不同的参数V0时,电光系数和入射光子能量的关系分别被绘制成曲线图。在图中分别有三个不同的峰,而且系统的非对称性越大,峰值就越大。随着量子阱非对称性的增大,曲线中的峰向能量低的方向移动。另外,在这种量子阱中得到了比较大的电光系数,大约在10^-6m/V量级。随着近来纳米制作技术的进步,使得在实验上制作这种特殊非对称量子阱并得到较好的非线性材料成为可能。
【分 类】【数理科学和化学】 > 物理学 > 半导体物理学 > 半导体性质 > 光学性质
【关键词】 电光效应 非对称量子阱 密度矩阵法 电光系数 砷化镓/铝镓砷 入射光子能量
【出 处】 《发光学报》2004年 第1期 14-18页 共5页
【收 录】 中文科技期刊数据库

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