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平栅极结构碳纳米管场发射性能实验

《发光学报》2009年 第1期 | 钟寿仙 李广山 李振红 任兆玉 田进寿   中国石油大学数理系 北京102249 西北大学光子学与光子技术研究所 陕西西安710069 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子学国家重点实验室 陕西西安710119
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摘 要:研究了碳纳米管(CNT)场发射显示器(FED)三电极结构的平栅极结构,得到了进一步降低场致发射的开启电压和缩小动态调制电压范围的方法,同时也为相关的场发射安全操作提供了借鉴。实验表明:二极结构场发射调制电压范围较大,调制电压达上千伏,而在三电极的平栅极结构中通过调节阳极电压不仅可控制显示亮度,还对栅极调制电路有保护作用。适当升高阳极电压、适当缩短阴极和阳极之间的距离以及阴栅极经老化后可减小栅极调制电压,同时还能有效的降低场致发射的动态调制电压的范围。这对新一代的显示器研制提供帮助。
【分 类】【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 真空电子技术 > 一般性问题 > 电真空器件制造工艺 > 部件制备
【关键词】 碳纳米管 场发射 调制电压 平栅极结构
【出 处】 《发光学报》2009年 第1期 119-122页 共4页
【收 录】 中文科技期刊数据库

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