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气源MBE外延自组装GeSi量子点的光致荧光

《发光学报》2011年 第8期 | 李辉 何涛 戴隆贵 王小丽 王文新 陈弘   中国科学院物理研究所凝聚态物理国家重点实验室 北京100190
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摘 要:利用气源分子束外延技术(MBE)制作了GeSi自组装量子点样品。利用原子力显微镜(AFM)和光致荧光(PL)光谱研究了该量子点的形貌和光学性质。气源MBE在较低温度下生长的量子点材料具有较高的量子点覆盖度。200 K以下载流子以局域激子形式束缚在量子点中,激子束缚能约为17 meV。升温至200 K,载流子的输运过程发生变化。对量子点PL积分强度与温度关系曲线进行拟合得到量子点中空穴跃迁至浸润层的热激活能为129 meV。
【分 类】【数理科学和化学】 > 物理学 > 半导体物理学 > 半导体性质 > 光学性质【数理科学和化学】 > 物理学 > 固体物理学 > 固体性质 > 光学性质 > 发光学
【关键词】 气源分子束外延 锗硅量子点 激子 光致荧光 热猝灭
【出 处】 《发光学报》2011年 第8期 789-792页 共4页
【收 录】 中文科技期刊数据库