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反应前驱物中n(S):n(Cd)对CdS薄膜结构及发光特性的影响

《发光学报》2011年 第8期 | 赵湘辉 魏爱香 招瑜   广东工业大学材料与能源学院 广东广州510006
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摘 要:采用化学水浴以CdCl2.H2O、CS(NH2)2、NH4Cl、NH3.H2O和去离子水作为反应前驱物制备CdS纳米晶薄膜。采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射光谱和稳态荧光光谱,研究了反应前驱物中不同的n(S)∶n(Cd)对所制备的CdS薄膜的形貌、结构和光学性能的影响。结果表明:反应前驱物中n(S)∶n(Cd)≥3∶1时均能制备出由纳米颗粒组成的、具有立方晶系结构的CdS薄膜;CdS薄膜均为富镉的n型半导体,薄膜中的S/Cd原子比约为0.9∶1;CdS薄膜的吸收边在450 nm左右,在510~2 500 nm范围内透射率均在70%以上,在500 nm处有一较强的发光峰。
【分 类】【数理科学和化学】 > 物理学 > 固体物理学 > 固体性质 > 光学性质 > 发光学
【关键词】 化学水浴法 CDS薄膜 n(S):n(Cd) 光致发光
【出 处】 《发光学报》2011年 第8期 793-797页 共5页
【收 录】 中文科技期刊数据库