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不同封装材料的中功率GaN基LED器件老化分析

《发光学报》2016年 第10期 | 符佳佳 曹海城 赵丽霞 王军喜 李晋闽   中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心 北京100083
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摘 要:针对中功率蓝光及相应的白光LED器件进行加速老化实验,并具体分析了器件中硅胶和绿红混合荧光粉等封装材料对老化行为的影响和失效机理。在测试器件的光电老化行为之后,利用反射光谱和飞行时间二次离子质谱对失效器件进行了结构分析。结果表明,温度和湿度对蓝光和白光器件老化行为具有不同的影响。对于中功率蓝光LED而言,其光衰的主要原因是由于S、Cl等元素的引入及氧化等因素引起的黄化导致了透明硅胶反射率的下降。而对于绿红混合荧光粉组成的中功率白光LED来说,其光衰和色漂问题主要归结于在高温特别是高湿环境下工作,器件中荧光粉和硅胶等封装材料发生了一些化学反应,使荧光粉发生分解,并引起了荧光转换效率的下降。
【分 类】【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 发光器件 > 场致发光器件、电致发光器件
【关键词】 中功率LED 封装材料 老化行为
【出 处】 《发光学报》2016年 第10期 1230-1236页 共7页
【收 录】 中文科技期刊数据库

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