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基于PBDT-TT-F∶PCBM体异质结红光探测器的光电特性

《发光学报》2017年 第12期 | 安涛 涂传宝 杨圣 吴俊宇   西安理工大学 陕西西安710048
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摘 要:采用旋涂工艺与蒸镀工艺结合的方法制备了PBDT-TT-F∶PCBM体异质结红光探测器,研究了活性层的混合比例和厚度、退火温度等因素对器件光电特性的影响。实验结果表明:活性层PBDT-TT-F∶PCBM的混合质量比为1∶1.5、厚度为150 nm、退火温度为100℃、时间为15 min时制备的器件性能最佳,在波长为650nm、功率为6.6 m W/cm^2的光照下,探测器光电流密度可达到0.85 m A/cm^2,光响应度达到128 m A/W。
【分 类】【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 材料 > 化合物半导体
【关键词】 有机光电探测器 红光 活性层 光电特性
【出 处】 《发光学报》2017年 第12期 1643-1649页 共7页
【收 录】 中文科技期刊数据库