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GaSb衬底上InAsSb材料的电学性能研究

《航空兵器》2016年 第3期 | 孙庆灵 姚官生 曹先存 王禄 王文奇 孙令 王文新 贾海强 陈弘   中国科学院物理研究所 北京100190 中国空空导弹研究院 河南洛阳471009
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摘 要:采用分子束外延(MBE)法在GaSb衬底上生长了不同组分的InAsSb外延膜。通过引入Al GaSb插层,实现对导电GaSb衬底上InAsSb材料电学性质的定性表征,并研究了生长温度和晶格失配对InAsSb外延层电学性能的影响。测试结果表明,在较低生长温度下获得的样品表面会形成缺陷,且其电学性能较差。对于一定晶格失配的样品,提高生长温度能获得较好的电学性能。
【分 类】【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 光电子技术、激光技术 > 红外技术及仪器 > 红外光学材料
【关键词】 INASSB 电学性能 分子束外延
【出 处】 《航空兵器》2016年 第3期 59-61页 共3页
【收 录】 中文科技期刊数据库

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