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一类半导体稳态模型的混合边值问题

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董建伟[1] 沈会焘[2]

[1]郑州航空工业管理学院数理系,郑州450015 [2]许昌学院数学系,河南许昌461000

河南师范大学学报:自然科学版
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国际标准刊号:ISSN 1000-2367
国内统一刊号:CN 41-1109

摘  要:

研究一类半导体稳态模型的混合边值问题解的存在性,同时也研究了其半古典极限问题.[著者文摘]

Ingenuin Gasser和Ansgar Jungel在Dirichlet边界条件下对下列半导体量子流体动力学模型解的存在性、唯一性和古典极限问题进行了研究:Aw :w(h(w )一)在区域n,(1) △V一一C在区域n,(2) 其中W ,V,C,^(·)分别表示电子浓度,电位势,带电粒子杂质和焓函数;占和A表示普朗克常数和德拜长度.本文主要研究的是关于方程组(1)~(2)的混合边值问题:△w —w(h(wz)一v)在区域n,w 一“U3o在边界rD,一0在边界I’,(3) V Az△V一一C在区域力,V=Vo在边界I’D,华一0在边界r ,(4) V 这里v是I、上的单位外法向量.混合边值更符合物理实际.1 解的存在性本节的假设条件是:(A1)n Rd是有界区域且an ∈C ,an —I’D U I’N,rD n r~ ,~1.easd_1 rD> 0,其中1 d< +。。;(A2)C∈L。。(n),A,占∈(O,1),这里WO,Vo∈H (......
Journal of Henan Normal University(Natural Science)

栏目信息:

研究论文

分 类 号:

O175.29

文献标识码:

A

文章编号:

1000-2367(2007)02-0033-03

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[参考文献]

The Mixed Boundary Value Problem of a Class of Stationary Model for Semiconductor

DONG Jian-wei ,SHEN Hui-tao (1. Department of Mathematics and Physics, Zhengzhou Institute of Aeronautical Industry Management, Zhengzhou 450015, China; 2. Department of Mathematics, Xuchang University, Xuchang 461000, China)

Abstract:

This paper is concerned with the existence of solutions for a class of stationary model for semiconductor. We also study the semi-classical limit.[著者文摘]

Key words:

Quantum hydrodynamic; thermal equilibrium; mixed boundary value problem; existence; semi-classical limit

收稿日期: 2006-04-13

基金资助:

郑州航空工业管理学院青年教师科研基金(Q05K066)

作者简介:

董建伟(1980-),男,山东菏泽人,郑州航空工业管理学院助教,主要从事半导体偏微分方程方面的研究.

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