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TEOS—O3常压CVD膜形成中的醇类添加效果

《微电子技术》1994年 第4期 | 池田浩一 长凤   
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摘 要:
【分 类】【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 微电子学、集成电路(IC) > 大规模集成电路、超大规模集成电路
【关键词】 LSI 集成电路 四乙氧基硅烷 臭氧 膜形成 CVD
【出 处】 《微电子技术》1994年 第4期 44-49页 共6页
【收 录】 中文科技期刊数据库

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