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TEOS—O3常压CVD膜形成技术

《微电子技术》1994年 第4期 | 吉村正树 黎铭   
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摘 要:
【分 类】【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 微电子学、集成电路(IC) > 一般性问题 > 制造工艺 > 互连及多层布线技术
【关键词】 绝缘膜 形成 化学汽相沉积 四乙氧基硅烷 臭氧
【出 处】 《微电子技术》1994年 第4期 23-28页 共6页
【收 录】 中文科技期刊数据库