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自旋电子学研究与进展

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詹文山

中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室,北京100080

物理
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国际标准刊号:ISSN 0379-4148
国内统一刊号:CN 11-1957

摘  要:

自旋电子学是最近几年在凝聚态物理中发展起来的新学科分支,它研究在固体中自旋自由度的有效控制和操纵,在金属和半导体中自旋极化、自旋动力学、自旋极化的输运和自旋电子检测.由于它在信息存储方面的重大应用前景,受到学术界和工业界的高度重视.文章扼要地介绍了自旋电子学发展的历程和发展中的最重要的发现.最近几年,最奇特的发现和最重要的应用莫过于巨磁电阻,薄膜领域纳米技术的迅速发展使巨磁电阻的应用变成可能.作为磁记录头它已使硬磁盘的记录密度提高到170Gbit/in^2.动态随机存储器MRAM的研究已实现16Mbit的存储密度.[著者文摘]

junctions,spin valve 1 自旋电子学研究的历史回顾电子具有电荷和自旋两种属性是人所共知的.电子在电场中运动由于带有电荷而形成电流.导体在磁场中做切割磁力线的运动时,导体中产生电流.反过来,在磁场中的通电导体将产生垂直磁场的运动.从而发明电动机和发电机,成就了一个世纪的文明.在半导体中由于导带中的电子和价带中失去电子形成空穴的输运特性,构成PN结,1947年发明半35卷(2006年)10期导体晶体管,开创半导体电子学,打开了当代通信和数据处理技术发展的大门,奠定了现代信息社会的基础.所有这些都是基于电子具有电荷的属性.电子在完整晶体的周期性势场中运动是不受阻碍的,因而称为透明的.但是由热引起晶格振动或晶体中的各种缺陷,对电子散射而形成了阻碍.电子不受到散射的平均路程称为平均自由程.在低温下,金属的电国家重点基础研究发展计划(批准号:2001 CB610600),国家自然科学基金(批准号:59731010)资助项目2006—04—0......

文章出处:

《物理》-2006年35卷10期 -811-817页

Physics

栏目信息:

评述

分 类 号:

TP333.8

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[参考文献]

Recent progress in spintronics

ZHAN Wen -Shan ( State Key Laboratory for Magnetism, Institute of Physics, Chinese academy of Sciences,Beijing 100080, China)

Abstract:

Spintronics is a new branch of condensed matter physics devoted to studies on the manipulation of the spin degree of freedom in solids. It involves spin polarization, spin dynamics, spin transport, and the detection of spin polarized electrons in metals and semiconductors. Spintronics has attracted great attention from scientists and manufacturers because of its potential application in information storage. A brief review of the development of spintronics and its most important discoveries will be given. The most exciting event in recent years may be the discovery of the giant magnetoresistance effect in metallic muhilayer films and the successful application of this effect to information storage. Based on this effect, the magnetic recording density has been increased to 170 Gbit/in^2. A magnetoresistive random access memory of 16 Mbit storage density has also been developed. These results clearly demonstrate the importance of spintronics for information technology.[著者文摘]

Key words:

Spintronics, giant magnetoresistance, magnetic tunnel junctions, spin valve

收稿日期: 2006-04-04
修订日期: 2006-06-02

基金资助:

国家重点基础研究发展计划(批准号:2001CB610600),国家自然科学基金(批准号:59731010)资助项目

作者简介:

Email:wszhan@aphy.iphy.ac.cn

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