您的位置：网站首页 > 《中文科技期刊数据库》 > 工程技术 > 电子电信 > 半导体 > 摘要
一种新型结构的光电负阻器件
李丹 李树荣 夏克军 郭维廉 郑云光 天津大学电子信息工程学院，天津300072第1页
第2页
第3页
第4页
| 《半导体学报》2003年 第10期 | 摘要：提出了一种新型结构的硅光电负阻器件——光电双耦合区晶体管(photoelectric dual coupled areatran sistor，PDUCAT)，它是由一个P-N结光电二极管和位于两侧的两个纵向NPN管构成的．由于两个NPN管到光电二极管的距离不同，使得它们对光生空穴电流的争抢能力随外加电压的变化产生差异，同时两个NPN管电流放大系数相差较大，最终导致器件负阻现象的出现．文中对PDUCAT进行了工艺模拟和器件模拟，围绕着负阻的形成机理和影响器件性能的主要参数进行了讨论，初步建立了器件模型． | |
|---|---|---|
| 格式：PDF 页数：6 页 页码范围：1078-1083页 | ||
学科分类：
|
||
| 关 键 词：光电器件 负阻 模拟 晶体管 | ||
| 来源期刊：《半导体学报》2003年 第10期 | ||
| 收录数据库：中文科技期刊数据库 | ||
|
||
