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CdS/CdTe太阳电池的背接触

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李卫 冯良桓 武莉莉 蔡亚平 郑家贵 蔡伟 张静全 黎兵 雷智 晋勇

四川大学材料科学与工程学院,成都610064

半导体学报
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国际标准刊号:ISSN 0253-4177
国内统一刊号:CN 11-1870

摘  要:

磷硝酸腐蚀是一种适宜于工业化生产的背表面刻蚀工艺.文中采用磷硝酸腐蚀CdTe薄膜,并用溴甲醇腐蚀作为对照实验,研究了两种腐蚀对材料性质的影响.随后用真空蒸发法分别沉积了四种背接触层,提出了适宜于工业化生产的背接触技术,并从实验和理论上对两种背接触结构的CdTe太阳电池进行了分析.[著者文摘]

Chinese Journal of Semiconductors

栏目信息:

研究论文

分 类 号:

TK514

文献标识码:

A

文章编号:

0253-4177(2007)04-0558-05

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[参考文献]

Investigation of Back Contacts for CdS/CdTe Solar Cells

Li Wei, Feng Lianghuan, Wu Lili, Cai Yaping, Zheng Jiagui, Cai Wei, Zhang Jingquan, Li Bing, Lei Zhi, Jin Yong (College of Material Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu 610064, China)

Abstract:

CdTe thin films were etched with a mixture of nitric-phosphoric acid (NP) in water. A dilute solution of bromine in methanol (BM) was also applied to CdTe thin films for comparison. The effects of NP acid and BM pretreatments on the material properties were investigated. Then four back contact materials were deposited on the CdTe thin films etched with two surface pretreatments. A novel back-contact technique was proposed. Furthermore, two CdTe solar cells with high performance back contacts were measured from C-V measurements and analyzed using energy band structure.[著者文摘]

Key words:

etch; back contact; CdTe solar cells

收稿日期: 2006-12-13
修订日期: 2007-01-04

基金资助:

国家高技术研究与发展计划(批准号:2003AA513010)和四川省科技攻关项目基金(批准号:05GG021-003-3)资助项目

作者简介:

通信作者.Email:forever.2002@163.net

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