基于非晶软磁层的巨磁电阻单元性能研究
张祖刚 张万里 文岐业 唐晓莉 张怀武
电子科技大学微电子与固体电子学院,成都610054
摘 要:
采用剥离工艺制备了单元大小为10μm×18μm的CoNbZr／Co／Cu／Co和NiFe／Co／Cu／Co多层膜结构的3×3自旋阀单元阵列，并测试了自旋阀单元的静态和动态巨磁电阻特性。结果表明CoNbZr层对快速磁场变化具有良好的线性响应特性。与NiFe／Co／Cu／Co自旋阀单元相比，微米尺度的CoNbZr／Co／Cu／Co自旋阀单元具有更良好的自旋电子特性，可以应用到包括MRAM器件在内的自旋电子器件中。 (共5页)
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