在电场的影响下，漂移一扩散模型描述了半导体器件中载流子的运动规律。从数学角度得出了如下一类非线性退化半导体方程的混合初边值问题。u 一div(7 (“)一b(“)7∞)= ，( ，)(1一)，”一div(7 (”)+b( )7 )= r(“，)(1一“)一△= 一“+G。当( ，t)∈Q，= ×(0，T)和初边值问题7 ( )· =0，7 ( )· =0，7 2￡J· =0，( ，f)E∑：×(0，)，(“)：(“D)，( )：( D)，W= D(z，f)E∑。= ×(0，)。u(·，0)=“0，(·，0)= 0，z E 。(1) 这里力c R (1≤Ⅳ≤3)有界，“，分别表示电子和空穴的浓度，为静电位势，(“)为压力函数，5 为粒子的迁移率，r(“，)(1一“)为净复合产生率，G为净电离杂质浓度，为上的单位外法向量。边界分为两部分：a =厂u厂，厂n厂= ，。=厂D×(0，T)，，v=厂，v×(0，T)。在文献[1]中，当(“)，b(“)非线性并......