学术
国际标准刊号：ISSN 0254-0096
国内统一刊号：CN 11-2082
摘 要:
采用廉价国产硅粉拉制的低纯度颗粒硅带（SSP）作为衬底，利用快速热化学气相沉积（RTCVD）方法外延多晶硅薄膜并制作了转换效率达4．5％的薄膜太阳电池，对衬底和薄膜特性，相关工艺及进一步的研究方向做了探讨。
文章出处:
《太阳能学报》-2002年23卷3期 -290-292页
Acta Energiae Solaris Sinica
分 类 号:
相关文章:
更多评论>>文章评论
更多>>免费文章
cqvip.com