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二氧化硅膜的选择性沉积

《微细加工技术》1989年 第2期 | 贾正根   南京电子器件研究所
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摘 要:本文介绍用二氧化硅膜的选择性沉积法来制造精细图形,可获得0.12μm,间距0.08μm的精细图形。文中具体介绍了制造工艺及沉积原理。
【分 类】【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 半导体器件制造工艺及设备 > 氧化层生长
【关键词】 二氧化硅 薄膜 选择性沉积
【出 处】 《微细加工技术》1989年 第2期 53-55页 共3页
【收 录】 中文科技期刊数据库