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电子束大面积辐照硅片温度分布的计算机模拟

《微细加工技术》1989年 第2期 | 陶敦仁 祁筑宁   机械电子工业部第四十八研究所 中南工业大学应用物理系
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摘 要:本文对聚焦电子束大面积辐照(包括快速多次扫描)硅片的纵向温度分布进行了计算机数值模拟。作者运用表面热导关系计算了硅片底面的传导散热。模拟中还计入了电子在硅中的能量耗散分布、硅的热导率随温度的变化以及硅片两面的辐射散热等因素。模拟结果与实验都较好地符合。本文模拟结果特别指出:辐射时间达1毫秒或更长时,如果辐照功率密废达10~3瓦/厘米~2以上,硅片纵向温度分布并不均匀,温度差远远超过10℃。这一结果尚未见国内外文献报道。作者根据模拟结果作了一些推论。
【分 类】【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 半导体器件制造工艺及设备 > 掺杂
【关键词】 电子束 硅片 温度分布 计算机 模拟
【出 处】 《微细加工技术》1989年 第2期 22-30页 共9页
【收 录】 中文科技期刊数据库