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离子束合成SOI多层结构的研究

《微细加工技术》1991年 第3期 | 林成鲁 张顺开 朱文化 邹世昌 李金华 P.L.F.Hemment   中国科学院上海冶金研究所 常州半导体厂 Department of Electronic and Electrical Engineering University of Surry U.K
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摘 要:本文报道了借助高剂量离子注入、高温退火等技术获得不同类型SOI(Silicon on Insulator)材料的形成过程及其多层结构。以离子背散射和沟道技术、Auger能谱、透射电子显微镜、扩展电阻测试以及红外透射和反射等分析方法对这些SOI结构进行表征。比较了注O~+和注N~+两种SOI材料的优缺点。研究表明,高质量的SOI材料能够通过离子束合成技术获得。
【分 类】【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 材料 > 一般性问题 > 制取方法与设备 > 半导体薄膜技术
【关键词】 SOI 离子束合成 多层结构 薄膜
【出 处】 《微细加工技术》1991年 第3期 43-49页 共7页
【收 录】 中文科技期刊数据库