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双电荷离子注入的倒阱技术

《微细加工技术》1991年 第3期 | 郑宜钧 张义强   中国华晶集团中央研究所 中国华晶集团中央研究所 无锡 214035 无锡 214035 无锡 214035
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摘 要:本文从VLSl CMOS倒阱意义出发,结合我所中能离子注入的双电荷产生及其应用研究,介绍了在NV—3204注入机上实现近400keV的B受主高能注入以形成单峰(约1.0μm)、阱深(约2.0μm)的P倒阱。在此基础上,将它应用到新的CMOS硅栅工艺中。结果初步预示:新一代P倒阱CMOS硅栅工艺具有工艺流程简单、高温经历时间短、抗闩锁能力强等优点。对于只有中能离子注入机的单位,这一双电荷离子注入形成倒阱,将是一种现实有效的技术,也是P型深注入结的有效手段。
【分 类】【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 半导体器件制造工艺及设备 > 掺杂
【关键词】 离子注入 双电荷 倒阱技术
【出 处】 《微细加工技术》1991年 第3期 38-42页 共5页
【收 录】 中文科技期刊数据库

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