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α-Si TFT矩阵等离子体刻蚀技术的研究

《微细加工技术》1993年 第2期 | 赵伯芳 张少强 章青 王长安   华中理工大学固体电子学系 华中理工大学固体电子学系 武汉 430074 武汉 430074 武汉 430074
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摘 要:本文介绍了α-Si TFT有源矩阵的CF_4等离子体刻蚀技术。分析了CF_4等离子体刻蚀α-Si:H和α-SiN_x的机理,对α-Si TFT的有源层与绝缘层之间刻蚀选择性和均匀性进行了研究,讨论了等离子体刻蚀速率与射频功率、反应室压力及衬底温度的依赖关系。根据实验结果总结了CF_4等离子体刻蚀速率随射频功率、反应室压力和衬底温度的增加而增大的规律,通过控制合适的工艺条件,成功地实现了选择性刻蚀并改善了刻蚀的均匀性。
【分 类】【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 微电子学、集成电路(IC) > 混合集成电路 > 半导体混合集成电路
【关键词】 等离子体刻蚀 半导体集成电路 有源矩阵
【出 处】 《微细加工技术》1993年 第2期 41-46页 共6页
【收 录】 中文科技期刊数据库