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注BF^+2MOS电容的电离辐射效应

《微细加工技术》1993年 第2期 | 张正选 张廷庆 刘家璐 赵元富   西安电子科技大学 骊山微电子公司 西安 710071 西安 710071 陕西临潼 710600
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摘 要:着重研究了γ辐照后,不同偏置情况下,N—Sub MOS电容的高频C—V曲线随B_2~+注入剂量的变化,并对实验结果进行了分析讨论。
【分 类】【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 半导体器件制造工艺及设备 > 掺杂【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 场效应器件 > 金属-氧化物-半导体(MOS)器件
【关键词】 离子注入 二氟化硼 MOS电容 电离辐照 MOS器件
【出 处】 《微细加工技术》1993年 第2期 33-36页 共4页
【收 录】 中文科技期刊数据库

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