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全方位离子注入技术

《微细加工技术》1993年 第3期 | 郭华聪   四川大学原子核科学技术研究所 成都 610064
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摘 要:等离子体离子注入(PII)是一种用于材料表面改性的新型离子注入技术。PII分为两类,用于金属表面改性时称为等离子体源离子注入技术(PSII),用于半导体材料表面改性时称为等离子体浸没离子注入(PIII)。本文介绍一种新的PII技术,称为全方位离子注入(All Orientation Ion Implantation),采用横磁瓶电子迴旋共振等离子体源,样品上的负高压可以是直流、交流或脉冲方式,本装置可以工作在离子注入和动态离子束混合两种模式。更多还原
【分 类】【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 半导体器件制造工艺及设备 > 掺杂【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 微电子学、集成电路(IC) > 混合集成电路 > 半导体混合集成电路
【关键词】 离子注入 电子迦旋共振 半导体集成电路
【出 处】 《微细加工技术》1993年 第3期 17-22页 共6页
【收 录】 中文科技期刊数据库