您的位置:网站首页 > 《中文科技期刊数据库》 > 工程技术 > 电子电信 > 半导体 > 摘要

大面积平坦金刚石薄膜的制备和图形化

《微细加工技术》1999年 第4期 | 张志明 杨艺蓉   上海交通大学微电子所 上海200030 中科院上海冶金所 上海200050
★ 收藏 | 分享
  • 第1页
  • 第2页
  • 第3页
  • 第4页
论文服务:
摘 要:采用直拉热丝CAD法沉积了面积3英寸的金刚石薄膜。硅衬底在沉积前采用0.5 ̄1μm金刚石微粉研磨,使成核密度达10^10个/cm^2以上,同时调整沉积工艺,特别是降低沉积气压至0.5 ̄1.5kPa,促进了金刚石的二次成核,使薄膜变得十分平坦,当薄膜厚度为5μm时,表面粗糙度Ra仅为60nm左右。另外,以铝作为保护膜,用氧离子束刻蚀金刚石薄膜,得到宽度为3 ̄5μm的精细金刚石薄膜图形。
【分 类】【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 材料 > 一般性问题 > 制取方法与设备 > 半导体薄膜技术【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 材料 > 元素半导体 > 碳、金刚石
【关键词】 金刚石 薄膜 平坦表面 离子束刻蚀
【出 处】 《微细加工技术》1999年 第4期 33-37页 共5页
【收 录】 中文科技期刊数据库