您的位置:网站首页 > 《中文科技期刊数据库》 > 工程技术 > 电子电信 > 半导体 > 摘要

强流金属离子注入

《微细加工技术》2001年 第1期 | 张涛 宋教花 张荟星 张孝吉 汤宝寅 朱剑 Monteiro O R Brown I G   北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室 北京辐射中心 香港城市大学物理材料系 美国加州大学伯克利国家试验室
★ 收藏 | 分享
  • 第1页
  • 第2页
  • 第3页
  • 第4页
论文服务:
摘 要:金属等离子体浸没注入(MEPIII)技术与金属蒸气真空弧(MEVVA)源注入技术有相同之处,也有各自不同的特点。采用两种方法进行钛离子注入硅,RBS方法分析注入层,并对两种注入技术予以比较。
【分 类】【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 半导体器件制造工艺及设备 > 掺杂
【关键词】 金属离子注入 MEVVA MEPIII 金属蒸气真空弧
【出 处】 《微细加工技术》2001年 第1期 22-25页 共4页
【收 录】 中文科技期刊数据库