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常规与纳米金刚石薄膜介电性能的比较

《微细加工技术》2001年 第4期 | 奚正蕾 莘海维 张志明 凌行 沈荷生 戴永兵 万永中 陆鸣   上海交通大学微电子技术研究所
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摘 要:用热丝CVD方法制备了常规和纳米金刚石薄膜.测量了其电阻率、介电常数和损耗角正切值.实验结果表明,常规金刚石薄膜的电导率、损耗角正切值均小于纳米金刚石薄膜,介电性能比较理想.两种薄膜的介电常数基本相同,损耗角正切值在105Hz处都有弛豫极大值,表明在该频率范围内,主要为弛豫损耗机制.电导率和损耗的大小可能与晶界处缺陷和非金刚石相的多少有关.
【分 类】【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 材料 > 元素半导体 > 碳、金刚石【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 材料 > 一般性问题 > 制取方法与设备 > 半导体薄膜技术
【关键词】 金刚石薄膜 纳米金刚石薄膜 介电性能
【出 处】 《微细加工技术》2001年 第4期 50-55页 共6页
【收 录】 中文科技期刊数据库