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离子束增强沉积VO2多晶薄膜的成膜机理

《微细加工技术》2004年 第1期 | 李金华 袁宁一   江苏工业学院信息科学系功能材料实验室,常州213016
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摘 要:用离子束增强沉积制备高性能VO2薄膜,在溅射V2O5粉末靶的同时,用氩、氢混合束对沉积膜作高剂量离子注入,然后经500℃以上的退火,获得热电阻温度系数(TCR)高达4%的VO2薄膜.成膜机理是:利用高剂量氩离子注入的损伤效应使V2O5的V-O键断裂;利用注入氢的还原效应将V2O5转换成VO2薄膜;利用混合效应使界面结合牢固、薄膜结构均匀;利用掺杂效应,使氩出现在晶格的间隙位置,产生张应力,降低了薄膜的转换温度;利用轰击效应使薄膜致密,降低了氧空位,减小了晶界宽度,提高了其TCR.
【分 类】【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 材料 > 化合物半导体 > 氧化物半导体
【关键词】 二氧化钒薄膜 离子束增强沉积 成膜机理 VO2 多晶薄膜
【出 处】 《微细加工技术》2004年 第1期 47-51页 共6页
【收 录】 中文科技期刊数据库

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