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电子束曝光中电子散射模型的优化

《微细加工技术》2005年 第3期 | 宋会英 张玉林 魏强 孔祥东   山东大学 控制学院 电子束研究所 济南 250061
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摘 要:提出了在0.1 keV~30 keV能量范围内进行电子束曝光Monte Carlo模拟的分段散射模型优化方案.在该方案中,对所有的弹性散射均采用精确的Mott弹性散射截面.而对非弹性散射,当能量处于E0≤10 keV,10 keV<E0≤20 keV和E0>20 keV时,分别采用了Jov修正的Bethe公式、通常的Bethe公式和相对论效应修正的Bethe公式来计算总能量损失率;当E0≤20 keV和E0>20 keV时,分别采用了Grvzinskv截面和Moller截面计算离散的能量损失率.发现模拟结果与实验结果很好地吻合,这比采用单一的散射模型和不考虑二次电子的Bethe公式得到的模拟结果更加符合实际的电子散射过程,其精度更高.
【分 类】【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 半导体器件制造工艺及设备 > 光刻、掩膜
【关键词】 电子束曝光 散射模型 MONTE CARLO方法 二次电子
【出 处】 《微细加工技术》2005年 第3期 14-19页 共6页
【收 录】 中文科技期刊数据库