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烘焙工艺条件对厚胶光刻面形的影响

《微细加工技术》2005年 第3期 | 唐雄贵 姚欣 郭永康 杜惊雷 温圣林 刘波 刘倩 董小春   四川大学 物理科学与技术学院 成都 610064 中国科学院光电技术研究所 微细加工光学技术国家重点实验室 成都 610209
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摘 要:采用厚层正性光刻胶AZ P4620进行光刻实验,考察了在前烘和坚膜阶段不同的工艺参数条件下的光刻胶浮雕面形的变化.实验表明,完全显影后光刻胶的浮雕面形受前烘工艺参数的影响很小,但其显影速率有一定差别;当坚膜烘焙后,不同前烘条件下的浮雕面形差别较大;当前烘条件相同时,坚膜参数的变化对光刻胶的浮雕面形影响较大.由此得出,在前烘阶段应采取较高温度、较短时间的烘焙,而在坚膜阶段应采取较低温度、较长时间的烘焙,这样可提高厚胶光刻面形的质量.
【分 类】【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 半导体器件制造工艺及设备 > 光刻、掩膜
【关键词】 厚胶光刻 前烘 坚膜 光刻面形
【出 处】 《微细加工技术》2005年 第3期 31-35页 共5页
【收 录】 中文科技期刊数据库