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EUV光刻中激光等离子体光源的发展

《微细加工技术》2006年 第5期 | 张福昌 李艳秋   中国科学院电工研究所 北京 100080 中国科学院电工研究所 北京 100080
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摘 要:简述了获得极紫外光源的途径,系统介绍了激光等离子体(LPP)光源的发展历程,对当前Cymer公司研制的极紫外光刻设备所需LPP光源的最新研究进展做了详细阐述,最后对光源的整体发展给予了总结和展望.
【分 类】【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 半导体器件制造工艺及设备 > 光刻、掩膜
【关键词】 极紫外光刻 激光等离子体 极紫外光功率 碎片污染
【出 处】 《微细加工技术》2006年 第5期 1-7页 共8页
【收 录】 中文科技期刊数据库