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压电型微悬臂梁制备中RIE刻蚀硅工艺的研究

《微细加工技术》2006年 第5期 | 董璐 方华斌 刘景全 徐东 徐峥谊 蔡炳初   上海交通大学 微纳科学技术研究院 薄膜与微细技术教育部重点实验室 微米/纳米加工技术国家级重点实验室 上海 200030 上海交通大学 微纳科学技术研究院 薄膜与微细技术教育部重点实验室 微米/纳米加工技术国家级重点实验室 上海 200030 上海交通大学 微纳科学技术研究院 薄膜与微细技术教育部重点实验室 微米/纳米加工技术国家级重点实验室 上海 200030 上海交通大学 微纳科学技术研究院 薄膜与微细技术教育部重点实验室 微米/纳米加工技术国家级重点实验室 上海 200030 Honeywell公司上海传感器实验室 上海 200030 上海交通大学 微纳科学技术研究院 薄膜与微细技术教育部重点实验室 微米/纳米加工技术国家级重点实验室 上海 200030
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摘 要:介绍了一种压电型微悬臂梁的制作工艺流程,重点研究了其中硅的反应离子刻蚀(RIE)工艺,分析了工艺参数对刻蚀速率、均匀性和选择比的影响,提出通过适当调整气体流量、射频功率和工作气压,以加快刻蚀速率,改善均匀性,提高选择比.研究表明,在SF6流量为20 mL/min,射频功率为20 W,工作气压为8.00 Pa的工艺条件下,硅刻蚀速率可以提高到401 nm/min,75 mm(3 in.)基片范围内的均匀性为±3.85%,硅和光刻胶的刻蚀选择比达到7.80.为制备压电悬臂梁或其它含功能薄膜的微结构提供了良好的参考.
【分 类】【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 半导体器件制造工艺及设备 > 光刻、掩膜
【关键词】 压电型微悬臂梁 反应离子刻蚀 刻蚀速度 均匀性 选择比
【出 处】 《微细加工技术》2006年 第5期 47-50页 共5页
【收 录】 中文科技期刊数据库