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Cu掺杂浓度对ZnO薄膜的结构、透光性和电学性质的影响

《微细加工技术》2008年 第6期 | 徐庆岩 吴雪梅 诸葛兰剑 陈学梅 吴兆丰   苏州大学物理科学与技术学院 江苏省薄膜材料重点实验室 苏州大学分析测试中心
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摘 要:采用射频磁控溅射方法在导电玻璃和石英衬底上制备了未掺杂和不同Cu掺杂量的ZnO薄膜。XRD显示,适当的Cu掺杂增强了ZnO的(002)衍射峰的强度;用紫外分光光度计测量了样品的透光性,结果显示,随掺杂量的增加,其透光性减弱,但在Cu掺杂量为9.6%时其透光性还在60%以上。用四探针测量了样品的表面电阻率,薄膜的电阻率随Cu掺杂量的增加而增加。
【分 类】【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 材料 > 化合物半导体 > 氧化物半导体
【关键词】 CU掺杂 ZNO薄膜 电光学性质
【出 处】 《微细加工技术》2008年 第6期 16-18页 共3页
【收 录】 中文科技期刊数据库