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聚合物Parylene C薄膜的反应离子刻蚀研究

《微细加工技术》2008年 第6期 | 王亚军 刘景全 沈修成 杨春生 郭中元 芮岳峰   上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细加工教育部重点实验室
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摘 要:首先简要介绍了聚合物Parylene,并以Parylene C薄膜为原料,进行反应离子刻蚀,着重研究了功率和工作气压对刻蚀速率的影响,并给出了优化的刻蚀工艺参数。结果表明,刻蚀速率随功率增加而增大,当功率为80 W时,刻蚀速率达到0.44μm/min,适当增大功率有利于各向异性刻蚀。刻蚀速率在一定范围内随气压增大而增大,工作压力为10.67 Pa时,刻蚀速率达到0.47μm/min;当气压超过10.67 Pa后,刻蚀速率基本保持不变。
【分 类】【工业技术】 > 自动化技术、计算机技术 > 自动化技术及设备 > 自动化元件、部件 > 一般自动化元件、部件 > 机电元件、部件
【关键词】 生物MEMS 微流体系统 反应离子刻蚀 ParyleneC
【出 处】 《微细加工技术》2008年 第6期 19-21页 共3页
【收 录】 中文科技期刊数据库

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