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选择性BF2^+离子注入对提高DRAM刷新时间的研究

《微细加工技术》2008年 第5期 | 彭坤 王飚 林大成 吴萍 外山弘毅   昆明理工大学机电学院 昆明650093 西南交通大学经济管理学院 成都610031 中芯国际集成电路制造有限公司 天津300381 富士通微电子株式会社FCRAM产品部 日本三重县511-0192
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摘 要:动态随机存储器(dynamic random access memory,DRAM)电容器在存储高电位数据“1”时,将影响邻近记忆单元区晶体管栅极电场分布,从而导致漏电流增加,降低了刷新时间。研究提出针对位元线接触区、有选择性的浅掺杂漏极离子注入BF2^+方案来改善刷新时间,模拟分析了其注入离子分布及电迁移,发现在位元线接触区硅基单侧浅表层形成了富硼离子注入区,且最大电迁移深度仅为60nm,由此减少了对其它掺杂区的影响。电性测试结果表明,BF2^+离子剂量与开启电压成正比,重复实验证明,该方案有良好的可再现性;分析结果表明,增加BF2^+离子注入剂量能提高开启电压对制造偏差的容差能力;栅极关键尺寸在(90±15)nm波动范围内晶圆样品的NMOS电性测试结果表明,该离子注入法能保持与原有工艺的良好匹配性。进一步的分析结果指出,若开启电压升高,则刷新时间将会减少,若开启电压为0.8V时,该离子注入方案能使刷新时间从180ms提升到不小于300ms,改良幅度达66.7%。模拟及实验分析结果表明,该离子注入方案能应用于深微米进程的研究与生产中。
【分 类】【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 材料
【关键词】 离子注入 动态随机存储器 刷新时间 漏电流
【出 处】 《微细加工技术》2008年 第5期 1-4页 共5页
【收 录】 中文科技期刊数据库