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利用压印技术制备大面积相变材料阵列

《微细加工技术》2008年 第5期 | 刘彦伯 钮晓鸣 宋志棠 闵国全 万永中 张静 周伟民 李小丽 张挺 张剑平   上海市纳米科技与产业发展促进中心纳米加工技术实验室 上海200237 中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室 上海200050
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摘 要:采用高效、低成本的紫外压印技术(UV—IL)在2in.Si/SiO2基Ti/TiN/Si2Sb2Te5(SST)多层膜表面制备了密度为3.8M/In^2的AMONIL点阵结构,并通过反应离子刻蚀得到相变材料SST阵列;电阻与脉冲宽度特性测得SST基PCRAM存储单元SET/RESET电阻值变化约30倍,Ⅰ—Ⅴ特性表明,阈值电压为1.18V。此外,时间分辨XRD原位加热情况下SST薄膜结构变化说明,SST材料的相变发生在200℃~300℃之间。
【分 类】【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 半导体器件制造工艺及设备
【关键词】 UV—IL SST阵列 PCRAM 存储单元
【出 处】 《微细加工技术》2008年 第5期 5-8页 共4页
【收 录】 中文科技期刊数据库