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MEMS微结构电沉积层均匀性的有限元模拟

《微细加工技术》2008年 第5期 | 汤俊 汪红 刘瑞 毛胜平 李雪萍 王志民 丁桂甫   上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室 上海200240
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摘 要:利用有限元软件ANSYS对MEMS微电铸Ni工艺进行电场模拟,研究了光刻胶厚度、线宽以及片内辅助电极参数对微结构表面电场分布均匀性的影响。根据模拟结果,利用微电铸试验研究了微结构单元尺寸以及辅助极距离和大小对于微结构层厚度均匀性的影响。模拟和试验结果均表明,微结构单元尺寸是影响其均匀性的主要因素之一,合理添加片内辅助极是提高微结构铸层厚度均匀性的有效方法。而且,有限元分析软件ANSYS可以对微结构的电镀过程进行有效的模拟分析。
【分 类】【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 材料 > 一般性问题 > 参数测试与检验
【关键词】 微电铸 厚度均匀性 MEMS 有限元
【出 处】 《微细加工技术》2008年 第5期 45-49页 共5页
【收 录】 中文科技期刊数据库